路维光电(688401)：国信证券股份有限公司关于深圳市路维光电股份有限公司2025年半年度持续督导跟踪报告

2025-09-02 03:57:07

　　

　　国信证券股份有限公司（以下简称“国信证券”或“保荐机构”）作为深圳市路维光电股份有限公司（以下简称“路维光电”、“公司”或“上市公司”）首次公开发行股票并在科创板上市和向不特定对象发行可转换公司债券的保荐机构，根据《证券发行上市保荐业务管理办法（2025年修正）》（以下简称“《保荐办法》”）《上海证券交易所科创板股票上市规则（2025年 4月修订）》（以下简称“《上市规则》”）《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 11号——持续督导（2025年 3月修订）》（以下简称“《自律监管指引第 11号》”）等相关规定，负责路维光电在科创板上市后以及本次可转换公司债券上市后的持续督导工作，并出具 2025年半年度持续督导跟踪报告。

　　建立健全并有效执行持续督导工作制度，并针对具体 的持续督导工作制定相应的工作计划。

　　保荐机构已建立健全并有 效执行了持续督导制度，并 制定了相应的工作计划。

　　根据中国证监会相关规定，在持续督导工作开始前， 与上市公司签署持续督导协议，明确双方在持续督导 期间的权利义务，并报上海证券交易所备案。

　　保荐机构已与上市公司签 署了保荐协议，协议明确了 双方在持续督导期间的权 利和义务，并已报上海证券 交易所备案。本持续督导期 间，未发生协议内容做出修 改或终止协议的情况。

　　持续督导期间，按照有关规定对上市公司违法违规事 项公开发表声明的，应于披露前向上海证券交易所报 告，并经上海证券交易所审核后在指定媒体上公告。

　　持续督导期间，上市公司或相关当事人岀现违法违 规、违背承诺等事项的，应自发现或应当自发现之日 起五个工作日内向上海证券交易所报告，报告内容包 括上市公司或相关当事人岀现违法违规、违背承诺等 事项的具体情况，保荐人采取的督导措施等。

　　本持续督导期间，上市公司 及相关当事人未出现需报 告的违法违规、违背承诺等 事项。

　　本持续督导期间，保荐机构 通过日常沟通、定期或不定 期回访、现场检查、尽职调 查等方式，对上市公司开展 持续督导工作。其中，保荐 机构于 2025年 7月 29日对 上市公司进行了 2025年上 半年募集资金现场核查。

　　督导上市公司及其董事、监事、高级管理人员遵守法 律、法规、部门规章和上海证券交易所发布的业务规 则及其他规范性文件，并切实履行其所做出的各项承 诺。

　　保荐机构持续督促、指导上 市公司及其董事、监事、高 级管理人员，本持续督导期 间，上市公司及其董事、监 事、高级管理人员能够遵守 相关法律法规的要求，并切 实履行其所做出的各项承 诺。

　　督导上市公司建立健全并有效执行公司治理制度，包 括但不限于股东大会、董事会、监事会议事规则以及 董事、监事和高级管理人员的行为规范等。

　　保荐机构督促路维光电依 照相关规定健全完善公司 治理制度，并严格执行公司 治理制度。

　　督导上市公司建立健全并有效执行内控制度，包括但 不限于财务管理制度、会计核算制度和内部审计制 度，以及募集资金使用、关联交易、对外担保、对外 投资、衍生品交易、对子公司的控制等重大经营决策 的程序与规则等。

　　保荐机构对路维光电的内 控制度的设计、实施和有效 性进行了核查，路维光电的 内控制度符合相关法规要 求并得到了有效执行，能够 保证上市公司的规范运行。

　　督导上市公司建立健全并有效执行信息披露制度，审 阅信息披露文件及其他相关文件，并有充分理由确信 上市公司向上海证券交易所提交的文件不存在虚假 记载、误导性陈述或重大遗漏。

　　保荐机构督促路维光电严 格执行信息披露制度，审阅 信息披露文件及其他相关 文件。

　　对上市公司的信息披露文件及向中国证监会、上海证 券交易所提交的其他文件进行事前审阅，对存在问题 的信息披露文件及时督促公司予以更正或补充，公司 不予更正或补充的，应及时向上海证券交易所报告； 对上市公司的信息披露文件未进行事前审阅的，应在 上市公司履行信息披露义务后五个交易日内，完成对 有关文件的审阅工作，对存在问题的信息披露文件应 及时督促上市公司更正或补充，上市公司不予更正或 补充的，应及时向上海证券交易所报告。

　　保荐机构对路维光电的信 息披露文件进行了审阅，不 存在因文件存在问题、上市 公司不予更正或补充而应 及时向上海证券交易所报 告的情况。

　　关注上市公司或其控股股东、实际控制人、董事、监 事、高级管理人员受到中国证监会行政处罚、上海证 券交易所监管措施或纪律处分的情况，并督促其完善 内部控制制度，采取措施予以纠正。

　　本持续督导期间，上市公司 或其控股股东、实际控制 人、董事、监事、高级管理 人员未受到中国证监会行 政处罚、上海证券交易所纪 律处分或者被上海证券交 易所出具监管关注函的情 况。

　　关注上市公司及控股股东、实际控制人等履行承诺的 情况，上市公司及控股股东、实际控制人等未履行承 诺事项的，保荐人应及时向上海证券交易所报告。上 市公司或其控股股东、实际控制人作出承诺的，保荐 机构、保荐代表人应当督促其对承诺事项的具体内 容、履约方式及时间、履约能力分析、履约风险及对 策、不能履约时的救济措施等方面进行充分信息披 露。保荐机构、保荐代表人应当针对前款规定的承诺 披露事项，持续跟进相关主体履行承诺的进展情况， 督促相关主体及时、充分履行承诺。上市公司或其控 股股东、实际控制人披露、履行或者变更承诺事项， 不符合法律法规、上市规则以及上海证券交易所其他 规定的，保荐机构和保荐代表人应当及时提出督导意 见，并督促相关主体进行补正。

　　本持续督导期间，上市公司 及控股股东、实际控制人等 不存在未履行承诺的情况。 上市公司或其控股股东、实 际控制人已对承诺事项的 具体内容、履约方式及时 间、履约能力分析、履约风 险及对策、不能履约时的救 济措施等方面进行充分信 息披露。

　　关注公共传媒关于上市公司的报道，及时针对市场传 闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披露未披 露的重大事项或与披露的信息与事实不符的，应及时 督促上市公司如实披露或予以澄清；上市公司不予披 露或澄清的，应及时向上海证券交易所报告。

　　本持续督导期间，路维光电未岀现应披露未披露的重 大事项或披露的信息与事 实不符的情形。

　　在持续督导期间发现以下情形之一的，保荐人应督促 上市公司做出说明并限期改正，同时向上海证券交易 所报告： （一）上市公司涉嫌违反《上市规则》等上海证券交 易所相关业务规则； （二）中介机构及其签名人员岀具的专业意见可能 存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏等违法违规情 形或其他不当情形； （三）上市公司出现《保荐办法》第七十条规定的情 形； （四）上市公司不配合保荐机构持续督导工作； （五）上海证券交易所或保荐机构认为需要报告的其 他情形。

　　本持续督导期间，路维光电及相关主体未岀现需要做 出说明、改正并向交易所报 告的情形。

　　在持续督导期间出现以下情形的，保荐人及其保荐代 表人应当督促上市公司核实并披露，同时应当自知道 或者应当知道之日起 15日内按规定进行专项现场核 查：（一）存在重大财务造假嫌疑；（二）控股股东、 实际控制人及其关联人涉嫌资金占用；（三）可能存 在重大违规担保；（四）控股股东、实际控制人及PG电子其 关联人、董事、监事或者高级管理人员涉嫌侵占上市 公司利益；（五）资金往来或者现金流存在重大异常； （六）上海证券交易所或保荐机构认为应当进行现场 核查的其他事项。

　　国内掩膜版产品起步较晚，与国外巨头存在一定的技术差距。在技术指标方面，公司平板显示掩膜版的精度已达到国际主流水平，经过多年技术积累和自主创新，公司具备 G2.5-G11全世代掩膜版产品生产能力，可配套平板显示厂商所有世代产线；半导体掩膜版的精度尚处于国内主流水平，实现了 180nm制程节点半导体掩膜版量产，150nm/130nm制程节点半导体掩膜版已经通过客户验证并小批量量产，满足集成电路芯片制造、先进半导体芯片封装和器件等应用需求。

　　在晶圆制造用掩膜版领域，国内独立第三方掩膜版厂商的技术能力主要集中在130nm制程节点以上，与国际上达到先进制程水平的领先企业有较为明显的差距；在 IC封装和 IC器件领域，受限于光刻、制程等工艺方式，精度方面与国际厂商亦存在一定差距。

　　公司所处行业中关键技术人才的培养和维护是竞争优势的主要来源之一。行业技术人才需要长期积累，深入了解下游行业技术发展方向和产品需求，从而加深对掩膜版工艺技术的理解和把握。掩膜版行业的专业人才相对稀缺。

　　截至 2025年 6月 30日，公司共有研发技术人员 56人，占总人数的 16.33%。

　　随着公司业务规模的拓展、募投项目的实施，公司计划招募更多人才，进一步提高产品研发和技术创新能力，而随着行业竞争格局的变化，掩膜版行业对技术人才的争夺将日趋激烈。若公司不能保持和提升对技术人才的吸引力，核心人才出现流失，或不能适时搭建起与发展规划相匹配的研发技术队伍，将难以持续发挥人才优势，对公司的生产经营造成重大不利影响。

　　公司所处的掩膜版行业属于技术密集型行业，需要深入理解下游客户的技术需求并生产出定制化的掩膜版产品，在光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、清洗、缺陷处理等主要生产环节需要积累大量的工艺经验，不断进行技术攻关。

　　为确保公司在掩膜版核心技术领域的优势，公司不断加大研发投入，以实现技术、工艺、产品的升级。如果未来行业核心技术相关领域出现突破性技术进展时，公司未能准确判断和及时跟进新技术的发展趋势，并投入充足的研发力量布局新产品、新技术研发，公司产品可能面临被新技术替代的风险。

　　同时，目前全球范围内平板显示、半导体等行业基本都采用掩膜版作为基准图案进行曝光复制量产，无掩膜光刻技术精度及效率较低，主要用于电路板行业。随着科学研究的进步，不排除掩膜版行业出现新的无掩膜光刻技术对原有的工艺技术形成替代，从而产生技术替代风险。

　　掩膜版行业为资本密集型行业，生产设备等固定成本投入较大。随着经营规模扩大和产品结构升级，公司首次公开发行股票的募投项目中“高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产项目”已于 2024年 12月达到预定可使用状态，可转换公司债券扩产项目中的“半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目”设备已陆续到厂并进行安装调试。截至 2025年 6月 30日，机器设备原值达到113,482.85万元，目前资产使用情况良好，核心设备产能利用率逐步提高。

　　如果未来出现市场竞争格局变化、下游客户需求减少等情形，可能导致公司产品销售规模增长乏力；若未来募投项目无法达到预期收益，新增的固定资产折旧侵蚀利润，则对经营业绩产生负面影响。

　　公司的主要原材料采购相对集中，尤其是高世代石英基板及光学膜的供应商集中于日本、韩国，目前国内仅有部分供应商可提供少量配合，原材料存在一定的进口依赖。2025年 1-6月，公司向前五大供应商采购原材料的金额为 28,175.16万元，占原材料采购比例为 88.73%。掩膜版行业的主要生产设备光刻机亦均为境外供应，且供应商集中度较高。

　　未来如果主要供应商的经营状况、业务模式、交付能力等发生重大不利变化，短期内将对公司的正常经营造成负面影响；若进口国或地区开展贸易保护政策，限制出口或制造贸易摩擦，公司不能及时采购到掩膜基板及核心生产设备等，将会对公司持续生产经营产生重大不利影响。

　　2025年 1-6月，公司向前五大客户合计销售金额为 42,898.65万元，占当期营业收入的比例为 78.85%。公司的客户集中度较高，主要由于下游平板显示行业核心厂商较为集中所致。如果未来公司主要客户的经营状况出现不利变化或对公司产品需求下降，将会对公司业务经营和盈利能力造成不利影响。

　　随着公司经营规模不断扩大，公司应收款项也相应增长。截至 2025年 6月30日，应收账款账面价值为 26,322.13万元，占期末流动资产的比例为 18.19%。

　　公司主要客户均为行业内知名公司，信用情况良好，各期末应收账款账龄结构基本符合公司的信用政策，规模相对于收入增速保持一致，应收账款余额快速增长具有合理性。2025年 1-6月，公司主要对应收账款计提了坏账准备。

　　如果宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或个别客户经营状况发生困难，公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险；若客户信用风险集中发生，将会对公司营业利润产生不利影响。

　　截至 2025年 6月 30日，公司存货净额为 20,536.90万元，占期末流动资产的比例为 14.19%。公司主要根据客户订单进行生产，按生产计划备料，主要原材料掩膜基板价值较高，周转速度较快。截至 2025年 6月 30日，公司主要对库存商品、发出商品、原材料、委托加工物资等计提了跌价准备，计提比例为1.90%。若未来市场环境发生变化、竞争加剧或因公司质量控制缺陷等因素导致出现亏损合同、销售退回产品报废、原材料积压等情况，将造成公司存货跌价损失增加，对公司的盈利能力产生不利影响。

　　目前掩膜版行业竞争对手主要系国际厂商，行业集中程度较高，公司长期直面国外掩膜版厂商的激烈竞争。经过努力追赶，公司现阶段已与国际领先企业在产品布局、产品性能等方面差距逐步缩小，但市场份额和技术实力仍然存在一定差距。根据 Omdia统计数据及公司实际经营数据，公司 2024年度平板显示掩膜版销售规模位居全球第六位、国内第二位，市场份额与国际龙头企业之间尚存在差距。随着平板显示、半导体等产业的快速发展，掩膜版市场需求持续旺盛，同时下游产业正加速向中国大陆转移，掀起产业链进口替代浪潮，国内掩膜版厂商以此为契机发展迅速。若国际主要竞争对手未来为了保持市场份额而加大对中国大陆市场的重视与投入、国内主要竞争对手为取得市场份额而采取价格竞争等手段，将导致行业竞争加剧，对公司的经营业绩产生不利影响。

　　公司目前产品主要应用于平板显示、半导体等行业。随着该等行业的快速发展，且正在加速向中国大陆转移，在消费市场和商用市场双双加持下，公司下游产业可能出现结构性调整促使细分领域对掩膜版需求的变化，若公司不能迅速把握行业发展变化，将会对公司的业绩以及长远发展产生一定的不利影响。

　　公司设备及原材料采购主要采用美元及日元进行结算。随着产销规模的扩大，公司将新增设备购置，原材料进口金额亦持续增加，外汇结算量增多。随着人民币汇率日趋市场化，如果未来汇率发生较大波动，将会在一定程度上影响公司的经营业绩。

　　GR8，有效期为三年，税收优惠期为 2024年至 2026年，继续减按15%的税率征收企业所得税；子公司成都路维于 2022年 11月 29日取得《高新技术企业证书》，证书编号为：GR8，税收优惠期为 2022年至 2024年减按 15%的税率征收企业所得税；子公司成都路维、路维科技适用三部委（2020）23号《关于延续西部大开发企业所得税政策的公告》，自 2021年 1月1日至 2030年 12月 31日，减按 15%的税率征收企业所得税。

　　如果后续未能被评定为高新技术企业，不能享受税收优惠，将会对公司的盈利水平产生不利影响。

　　2025年上半年，公司营业收入同比增长 37.48%，主要系公司产能提升，平板显示掩膜版与半导体掩膜版均实现了增长；经营活动产生的现金流量净额同比增长 278.62%，主要系销售规模增长，销售商品、提供劳务收到的现金增加；总资产同比增长 34.39%，主要系收到可转换债券募集资金，以及经营业绩增长所致。

　　随着我国掩膜版行业的发展，掩膜版技术革新的步伐不断加快，有效填补国内空白。2019年，公司在国内首次实现 11代掩膜版的自主研发和投产，我国掩膜版行业正式跻身国际先进行列，开启了我国掩膜版高质量发展的新篇章。

　　掩膜版产业位于电子信息产业的上游，是连接工业设计和工艺制造的关键，其是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本，作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。

　　公司经过近 30年的发展，构筑了自己的核心技术体系、建立了一支高素质的研发团队、优质的客户群体，形成了自己的核心竞争力。

　　自成立以来公司一直致力于掩膜版的研发，在平板显示掩膜版和半导体掩膜版两大核心产品领域不断突破，至今已突破多项关键核心技术。在平板显示领域，公司于 2019年在国内首次实现 G11掩膜版投产，是国内首家、世界第四家掌握G11高世代掩膜版制造技术的企业；是国内唯一一家可以全面配套不同世代面板产线）的本土掩膜版企业，可配套平板显示厂商所有世代产线高世代掩膜版生产线，公司已逐步实现了高世代半色调（Half-tone）掩膜版、高世代灰阶（Gray-tone）掩膜版等高端掩膜版产品的国产化替代，这些高端产品及 PSM相移掩膜版制造技术均打破国外技术垄断、产品技术指标达到国际先进水平。立足自主研发，公司在 LTPO（低温多晶硅氧化物）、Mini-LED、Micro-LED、硅基 OLED等新型显示技术领域取得突破，各类产品均已实现量产，产品技术指标达到国内领先水平。同时，针对我国掩膜版行业上游原材料高度依赖国外进口的现状，公司亦不断进行技术突破，目前已掌握光阻涂布技术、涂布洗边（EBR）控制技术、涂布 Mura控制技术、基板切割打磨技术、G11掩膜版光阻涂布技术等多项上游材料的核心工艺技术。此外，配合 OLED市场的飞速发展，在AMOLED产品核心工艺方面，公司已掌握 G8.6及以下 AMOLED掩膜版制造技术、高 PPI AMOLED显示面板掩膜版 OPC光刻补偿技术、高 PPI AMOLED显示面板掩膜版缺陷检查技术、AMOLED半色调掩膜制造技术、大尺寸 AMOLED掩膜版涂胶缺陷控制技术、AMOLED掩膜版 Mura控制技术、硅基 OLED用掩膜版制造技术、G6及以下 FMM用掩膜版制造技术、大尺寸 FMM图形形变预补偿技术等多项核心技术。

　　在半导体领域，公司把第三代半导体和先进封装作为主要的发展方向，围绕先进封装、功率器件、射频器件、MEMS传感器、光模块等下游产品应用，优化激光直写光刻、湿法制程、光学检测等成熟工艺，突破干法制程、电子显微检测、等离子束修补、PSM相移掩膜制造等较为先进的制造工艺，加强在电子束光刻、虚拟光刻、反演光刻等技术的研发和拓展，进一步扩大 150nm/130nm节点及以下产品的产能占比，不断壮大在 AI产业、智能装备制造、信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车、近眼显示等可穿戴显示器件等领域的客户群体。

　　公司拥有多年的掩膜版研发和制造经验，一直紧跟平板显示、半导体等下游行业的发展动态，与下游平板显示、半导体行业知名企业建立了良好的沟通和战略合作，积累了丰富的行业经验。公司多年来紧跟下游行业的发展动态进行技术创新，随着下游移动智能终端的快速发展，消费电子产品更新换代速度不断加快，市场需求将不断变化与丰富，公司在掩膜版领域拥有多年丰富的行业经验，具有抓住市场机遇的有利条件。

　　公司深耕掩膜版行业近 30年，积累了深厚的行业洞察和研发实力，作为国家“专精特新小巨人”企业，公司已形成一套较为完整全面的核心技术体系，涵盖 G11及以下 TFT（a-Si）掩膜版制造技术、G11及以下平板显示用多灰阶（Multi-tone）掩膜版制造技术，到高世代高精度半色调掩膜版制造技术、AMOLED掩膜版制造技术、平板显示相移掩膜版（PSM）制造技术、130nm制程节点半导体掩膜版制造技术、先进半导体封装掩膜版制造技术、衰减型半导体相移掩膜版（PSM）制造技术，以及掩膜版光阻涂布技术、高精度激光修补技术、局部图形位置精度补偿控制技术、Mura检查与控制技术、高精度图形清洗缺陷控制技术、半导体掩膜版精细化光刻控制技术、半导体掩膜版条纹控制技术、半导体掩膜版 OPC补偿技术、半导体掩膜版光阻涂布技术等一系列产品制造技术和核心工艺技术，广泛服务于平板显示、半导体、触控及电路板等掩膜版下游应用领域。

　　公司长期以来专注于掩膜版的技术研发，形成了系统化、规范化、科学化的研发体系，拥有一支技术经验丰富、技术精湛的研发团队。技术研发人员多数具备多年的研发实践经验和深厚的专业技能。公司多次承担国家及省市政府部门的技术改造、技术攻关等科研项目，其中高世代光掩膜版产线建设项目获得国家发改委、工信部批复，纳入 2017年电子信息产业技术改造专项。同时，公司产品屡获行业殊荣，彰显卓越的市场地位与技术影响力。

　　掩膜版对客户产品良率起决定性作用，这使得客户对掩膜版供应商的导入和认可成为一个相对长期和严谨的过程。经过多年发展，路维光电已经成为了掩膜版行业知名供应商，凭借扎实的技术实力、可靠的产品质量与优质的客户服务，公司已赢得下游客户的广泛认可，与众多知名客户建立了长期稳定的合作关系。

　　在平板显示领域，公司的主要客户包括京东方、天马微电子、TCL华星等；在半导体领域，公司的主要客户包括国内某些领先芯片公司及其配套供应商、晶方科技、华天科技、通富微电、三安光电、宁波中芯集成等。

　　公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。2025年 1-6月，公司新增 4项核心工艺技术，现共拥有 48项核心工艺技术，具体情况如下：

　　最小图形可达3μm,线/间（CD）精 度可控制在±0.25μm以内；总长 （TP）及位置（Position）精度可 控制在±0.5μm以内，产品缺陷尺 寸可控制在1.0μm以内。

　　G11及以下平 板显示用多灰 阶 （Multi-tone） 掩膜版制造技 术

　　包含半色调及灰阶掩膜版，线/间 （CD）精度可控制在±0.10μm以 内；总长（TP）精度可控制在 ±0.5um以内，两层图形之间套合 偏差（Overlay Shift）可控制在 ±0.5μm以内，半色调层透过率均 匀性可控制在 2.0%以内。

　　最小图形可达1.2μm，精度及均匀 性高，线/间（CD）精度可控制在 ±0.1μm以内，均匀性可控制在 80nm以内；位置（Position）及总 长（TP）精度可控制在±0.2μm以 内，产品缺陷尺寸可控制在 0.75μm以内。

　　线/间（CD）精度可控制在±50nm 以内；总长（TP）精度可控制在 ±0.2μm以内。

　　最小图形可达1.5μm,线/间（CD） 精度可控制在±0.1μm以内，均匀 性可控制在 100nm以内；位置 （Position）及总长（TP）精度可 控制在±0.30μm以内，产品缺陷尺 寸可控制在1.0μm以内。

　　线/间（CD）精度可控制在±0.1μm 以内，总长（TP）精度可以控制 在±0.2μm以内，产品缺陷尺寸可 控制在1.0μm以内。

　　线/间（CD）精度可控制在±0.1μm, 总长（TP）精度可控制在±0.15μm 以内，允许缺陷尺寸≤1.0μm。

　　线/间（CD）精度可控制在±0.3μm, 总长（TP）精度可控制在±0.75μm 以内，产品缺陷可控制在 5.0μm 以内。

　　产品具有防指纹、耐划伤等功能， 具有疏水性，水滴角可达 115°及 以上。

　　可实现不同粘度、对比度、敏感度 及膜厚要求的光阻涂布，1）光阻 涂布膜厚均匀性可控制在 3.0%以 内；2）控制涂布过程中的流量、 间隙、转速、气压等，消除涂布后 因光阻不均匀造成的色差，达到控 制涂布 Mura的目的。

　　采用高纯度有机溶液，通过调整 Nozzle角度、喷洒状态等，可对 不同粘度、膜厚的光阻进行洗边 （EBR）处理，实现不同范围内的 光阻洗边。

　　应用于 G11 及以下平板 显示掩膜版 /半导体掩 膜版的光阻 涂布洗边

　　通过分析掩膜版图形线路电学特 性，针对性进行图档设计优化处 理，从而有效避免因设计原因造成 的掩膜版静电击伤现象，提高了掩 膜版品质及使用寿命。

　　针对面板制造中由于投影光刻过 程造成的图形 Distortion，通过相 关算法对掩膜版设计图档进行光 刻参数补偿，从而实现掩膜版图形 与面板投影曝光的整体匹配。

　　针对多膜层结构掩膜版，开发多次 对位光刻技术，实现不同膜层图形 套合精度的要求。

　　自主开发用于掩膜版显影过程的 浸润液，运用该浸润液可保证掩膜 版在显影过程中表面无气泡产生， 出现气泡的比率从目前的 10%降 低到 0%，提升了产品品质。

　　针对掩膜版蚀刻后精度偏差问题， 自主开发显影后精度补偿技术，极 大提高蚀刻后图形线条质量，减小 图形的精度误差。

　　合化学方法，针对性去除掩膜版表 面的有机杂质和异物。与传统单一 化学清洗方式相比，极大提高了有 机杂质和异物的清洗效率。

　　采用不同于传统气相化学沉积的 方式，可针对不同透过率半色调膜 层缺陷进行修补。最小修补图形可 达1μm，可实现 10%到 60%透过 率范围膜层修补，修补膜层透过率 均匀性可控制在 2%以内。

　　针对掩膜版贴膜过程中造成的异 物缺陷，自主开发贴膜后缺陷处理 技术，运用激光处理的方式，可实 现掩膜版贴膜后异物性缺陷的去 除，处理效率高。

　　自主开发掩膜版光学膜贴附技术， 结合自主开发的自动、半自动装 置，可将贴附精度控制在±0.5mm 以内，效率高、品质优异。

　　自主开发化学清洗药液及自动化 装置，形成高效自动化清洗工艺， 能在短时间内进行有效清洗，满足 平板显示掩膜版产品包装洁净度、 防静电等品质要求。

　　自主开发相移掩膜版工艺技术，可 用以实现嵌入式单层式衰减型相 移掩膜版的制造；使用该类掩膜版 曝光时，光在图形边界处的相位角 相差 180°（误差在±2°以内），出 现光的相消叠加，最终使得客户端 的光刻分辨率有所提高。

　　可实现不同精度要求的半导体用 掩膜版的光阻涂布、不同光阻涂布 膜厚的控制；涂布均匀性可控制在 1.0%以内，可满足不同粘度、感 光性光阻的涂布要求。

　　通过开发对应涂布、光刻、制程、 清洗等工艺，实现 980*1550 TFT 掩膜版的制造。针对图形尺寸精 度、总长精度、图形套合精度控制 等方面进行开发研究，实现产品 CD精度±0.1μm，位置精度 ±0.3μm。

　　开发掩膜版显影后缺陷修复技术， 避免产品蚀刻后出现大尺寸缺陷， 降低 CVD修复风险，提高产品制

　　开发新型半导体掩膜版贴膜工艺 及流程，降低 Particle对贴膜成功 造成的影响，提高产品贴膜良率及 品质。

　　通过研究混版间距、曝光及制程参 数对混版图形位置精度的影响，结 合图形重新设计排布，开发混版图 形 Mura控制技术，实现不同混版 图形的 Mura要求。

　　开发新型下置型半色调 （Half-tone）掩膜版制造技术，可 实现二元图形和半色调图形的一 次制作， CD 精度可控制在 ±0.10μm以内；两层图形之间套合 偏差可控制在±0.3μm以内。

　　通过开发对应涂布、光刻、制程、 清洗等工艺，实现 980*1150 TFT 掩膜版的制造。针对图形尺寸精 度、总长精度、图形套合精度控制 等方面进行开发研究，实现产品 CD精度 ±0.1μm，位置精度 ±0.3μm。

　　开发应用于 G6及以下 AMOLED 显示面板用掩膜版产品的 OPC光 刻补偿技术，使其中高 PPI类产品 的复杂图形以及更锐利的尖角可 以有良好的制作效果。

　　通过优化自动扫描设备逻辑与算 法，实现高 PPI AMOLED显示面 板用掩膜版产品中 CH图形缺陷 检查，检出能力可达0.5μm。

　　通过研究光阻涂布、光刻及化学制 程等关键工艺，开发 G8.5灰阶掩 膜版制造技术，实现产品光阻涂布 膜厚达到 5000?，均匀性可达到 1.5%以内；产品 CD精度灰阶区域 可达±0.1μm；图形修补精度可达 ±0.15μm。

　　通过控制及调整优化 overlap区域 能量，优化像素能级分布，针对不 同厚度膜层优化 Defocus补偿，实 现精细化控制光刻过程，将图形 local CD精度控制在 20nm内。

　　通过研究不同基板材质特性及半 导体掩膜版霉变影响因素，从环境 温湿度、保护气体填充、包装前的 清洗干燥工艺控制、包装箱体设计 等多方面因素出发，开发针对性的 清洗包装方式及制具，改善半导体 掩膜版霉变现象，延长产品使用寿 命。

　　根据半导体掩膜版产品的图形设 计及制作工艺差异，开发半导体掩 膜版 Mura检查专用工具及检查工 艺，通过此技术可以检查出普通肉 眼下无法分辨出的 Mura。

　　通过开发对应涂布、光刻、制程、 清洗等工艺，实现硅基 OLED用 掩膜版产品开发，线/间（CD）精 度可控制在±0.07μm以内，总长 （TP）精度可以控制在±0.15μm以 内，产品缺陷尺寸可控制在0.7μm 以内,同时产品无 Mura。

　　开发产品制造中的扫描技术、基板 镀膜前后清洗技术、图形缺陷处理 技术；产品图形精度可达±0.5μm， 表面水滴角可＞100°，产品表面无 Mura。

　　开发产品制造中 Mosi系膜层蚀刻 技术、双层 PSM图形修复技术； 产品透过率精度可达±0.5%，range ＜0.8%，相移角精度可达±5°。

　　开发 PSM+OPC相结合的产品蚀 刻技术、清洗技术、图形修复技术； 最小图形0.5μm可以有良好的制 作效果，产品精度可达±0.1μm

　　开发半导体掩膜版光刻图形处理 补偿技术，改善极限方孔直角制作 效果；1.5μm方孔图形精度可达 ±0.1μm。

　　开发产品制造中的光阻涂布、二次 对位光刻、相移层清洗、相移层缺 陷处理技术；产品图形精度可达 ±0.1μm，二次对位精度可达 ±0.3μm。

　　针对红外传感掩膜版图形设计进 行研究，找到不同 pitch设计对条 纹影响的规律，对应开发针对性的 条纹控制技术，实现高 PPI红外传

　　通过开发对应涂布、光刻、制程、 清洗等工艺，实现应用于 LTPO显 示技术的掩膜版产品制造，产品尺 寸可达 850*1200mm，CD精度 ±0.07um，位置精度±0.3um

　　开发半导体掩膜版贴膜后检查专 用工具及检查工艺，并针对掩膜版 光学膜表面异物开发去除工艺，提 升贴膜半导体掩膜版产品制作良 率

　　开发针对大尺寸AMOLED掩膜版 产品的光阻涂布缺陷控制技术，并 研究开发涂布头相应的清洁与保 护系统，使大尺寸掩膜版的缺陷密 度≤0.003ea/cm2，缺陷尺寸小于 10um

　　开发应用于3D玻璃盖板的掩膜版 产品制造技术，提升复杂及大数据 量资料的处理效率，并且将产品缺 陷控制在 1um以内

　　开发用于大尺寸 IC掩膜版的套刻 精度校正与量测技术，进而控制和 提升大尺寸 IC掩膜版的位置精度 和套刻精度。最大覆盖产品尺寸达 228*228mm,套刻精度≤0.1um，量 测重复精度小于 15nm

　　开发用于 G6代 FMM图形设计制 作的形变预补偿技术，实现 FMM 图形拉伸变形局部位置的精度提 前预补偿，保障 FMM使用过程中 的套刻精度准确性，在光掩膜版上 实现≤0.5um以下的位置精度偏移

　　公司在多年技术积累的基础上，不断对掩膜版产品及相关技术、设备等进行自主创新和技术研发。研发项目主要来源于客户的新需求、生产过程中涉及的工艺技术创新改良，以及对未来技术趋势研判下的预研需求等，研发的方向主要包括新产品开发、新型工艺技术开发、工艺技术能力提升、设备开发及应用等，以期在增加产品种类、提升技术能力、提高生产效率、降低成本、提升产品质量等方面取得进展，进一步提升公司综合竞争力。

　　2025年 1-6月，公司完成了 IC掩膜版信赖性研究测试、3D玻璃盖板用掩膜版产品开发研发项目，新开展了 G8.6 AMOLED产品开发、G8.6 FMM用 Photo Mask产品开发、FOPLP面板级封装用掩膜版研究、半导体掩膜版套准量测精度提升等研发项目，计划开发配套国内 G8.6 AMOLED面板产线及 FOPLP、TGV等先进封装工艺产线配套所需的光掩膜版产品，进一步丰富公司产品种类，为提升公司在掩膜版领域的技术实力打下坚实基础。

　　2025年上半年，公司持续进行研发投入达 1,801.50万元，同比减少 9.59%，占营业收入比例 3.31%。

　　路维光电2025年上半年募集资金存放、管理与使用情况符合《上市公司募集资金监管规则》《上市规则》以及《自律监管指引第 11号》等法律法规和规范性文件的规定，上市公司对募集资金进行了专户存储、管理和使用，并及时履行了相关信息披露义务，不存在变相改变募集资金用途和损害股东利益的情形，不存在违规使用募集资金的情形。

　　十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况

　　截至 2025年 6月 30日，路维光电实际控制人、董事、监事和高级管理人员持有上市公司股份的情况如下：